为什么DDR2 533性能很多时候不及DDR400？延迟正是根本原因。而DDR2 800的出现正是弥补了延迟上的不足，频率的提升已经达到了一个新的高度。从以往的测试中我们得到一下排列关系：DDR2 800>DDR2 667>DDR500>DDR2 533>DDR 400>DDR2 400。我们说DDR2-800才是真正DDR2时代的开始。
● 内存延迟
内存性能的因素影响到内存系统性能的原因多样，在外部主要是位于 主板芯片组内的或者位于CPU内部的内存控制器决定，内存本身的性能影响因素包括频率和延迟两个方面，其中延迟在应用中将以时序参数的设定来体现。
在这里以DDR SDRAM和DDR2 SDRAM的SPD内部规定的时序参数为例，类似“3-3-3-8”的标称中的4个数字的含义依次为：CAS Latency，内存CAS延迟时间。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。
● DDR2与DDR的区别
DDR2使用了240pin的封装，而DDR的封装则为184pin 与DDR相比，DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。与双倍速运行的数据缓冲相结合，DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据，比传统DDR内存可以处理的2bit数据高了一倍。DDR2内存另一个改进之处在于，它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。
然而，尽管DDR2内存采用的DRAM核心速度和DDR的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存，因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容的。首先是接口不一样，DDR2的针脚数量为240针，而DDR内存为184针；其次，DDR2内存的VDIMM电压为1.8V，也和DDR内存的2.5V不同。
DDR2 SDRAM/DDR SDRAM/SDR SDRAM内存时钟频率和存储单元频率的比较 同时DDR2也会更省电。根据Samsung的统计，533MHz时脉的DDR2的用电量不到400MHzDDR的65%.这也将节省笔记型计算机的耗电量。
我们知道未来 DDR2是不可逆转的潮流，但是市面上 DDR2 内存品牌繁多，内存产品更是多如牛毛，如何能够选择一款适合自己的内存对于玩家是一个考验。今天我们从多方面对于全球各内存大厂产品进行横向对比，想必大家能够对目前全球市场内存有一个了解，根据自己需要进行理性选购。
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