目前市场上流行的英飞凌DDR400颗粒编号主要有:BT5、CE5和BE5这3种,其中BT5颗粒最早曾经在宇瞻高端的“黑豹”内存上出现过。CE5和BE5是英飞凌随后生产的内存颗粒,超频性能均在BT5之上。而关于CE5和BE5究竟谁更强的说法大家众说纷纭,不过可以确定的是它们的标准时序都可以在2-3-2-5下稳定工作,一些品质好的CE5和BE5颗粒内存还可以工作在更高的DDR500上,性能非常强劲。另外,英飞凌原厂内存的做工也是同类产品中属一属二的。
PCPOP小常识:有些人看到芯片编号中有“HYB”字样,便误以为是现代(HYUNHAI)的内存芯片,而现代内存芯片编号是以“HY”开头的,这也难怪会有人认错,实际上HYB”是英飞凌进入DDR和DDR-2时代后进行统一编号所选用的代码,Infineon(英飞凌)内存颗粒,有人将Infineon称为西门子(Siemens),事实上英飞凌的前身就是西门子半导体公司,在SDRAM时代,我们经常看到Siemens字样的内存,但如今Infineon早已独立,所以不再叫它西门子内存。
● 镁光MT-5BC和MT-5BG
镁光(Micron)身为世界第二大内存颗粒制造商,其产品却在国内极少现身。这是因为镁光很少将自己的优质颗粒卖给其他内存品牌,其极品颗粒一直是专供自家DIY品牌Crucial使用。
注意看内存参数 或许是由于国内代理渠道的问题,我们在国内很少能够看到镁光品牌的原厂内存,不过你却可以在一些知名品牌内存上见到镁光颗粒。目前市场上主要流通的有MT-5BC和MT-5BG两个型号的DDR400规格内存颗粒,其中根绝国内大部分的网友反映,MT-5BC的超频性能还会更优秀一些。
镁光的MT内存颗粒非常有特点,芯片的两端分别有个半圆形的缺角很容易就让人一眼辨认出来它的来自镁光。与大多数DDR400内存不同的是,镁光MT颗粒可以在DDR400规格下达到极低的TRD和TRP延时,默认电压下可以达到2.5-2-2-5这样一个非常不错参数。其实际效能甚至可以和TCCD在DDR400的环境下的表现相媲美,略微加电压则可以达到DDR500的标准甚至更高,如果你在市场中看到了这个系列的内存可千万不要放过!
● 华邦新BH5颗粒
提起华邦BH5内存颗粒的大名,我相信无人不知无人不晓。这款内存颗粒的最大特点就是耐高电压。在3V甚至更高以上的电压下,它的超频幅度是十分惊人的,因此也有很多人戏称它为DFI专用内存。
Winbond华邦 (W942598BH-5)5纳秒颗 BH5颗粒真可谓是来也匆匆去也匆匆,刚刚名声大震后,它也基本在市场上销声匿迹了。随后而来的TCCD盖过了它的锋芒,成为新一代超频王者,但世界上却再也没有一款能像BH5那样性价比出色的内存了……
在超频玩家选择内存的时候,有一些内存颗粒的编号是相当重要的。比如三星的TCCD和TCCC、还有现代的BT-D43、还有英飞凌的-5-C等等。这些代表内存批次的编号通常都有不错的超频能力或者上低延迟能力。其中又以三星的TCCC和TCCD颗粒最为著名,海盗船出品的极品内存通常都采用这种颗粒,能够在5-2-2-2时序下超频在DDR500以上,在发烧界中口碑极好。
2、如何看内存的用料及做工好坏
我们可以从下面几个方面来判断内存条的好坏:金手指、用料、设计、工艺。
金手指部分 金手指:内存的金手指通常有两种制造方法,电镀和化学镀(以下简称:化镀)。化镀的金手指会比电镀的薄20微米左右,不过肉眼很难看得出来,电镀的金手指耐磨度和电气性能更好。但是鉴别起来很简单,电镀的金手指在末端会有一个“小辫子”,这个是生产工艺造成了,没有办法避免,如图所示。这两种工艺成本差价大概在10元左右,相对于目前内存的价格,还是比较可观的。另外,好的金手指通常看起来和黄金差不多,黄颜色很有质感;差的金手指看起来泛白。
用料:要看一根内存的用料水准很简单:如果内存上面的小贴片元件多,那么这根内存用料应该说不错。用在内存上面的小元件主要有两种,一种上面有数字的,叫做排阻;一种更小的方块,叫做电容,通常用作耦合。一般在内存颗粒和金手指之间,会有很多的排阻,而内存颗粒周围则会有很多电容。用料差的内存,在整个PCB板面上都是“光秃秃”的。
设计:内存的PCB板通常为四层板或者六层板,尤其对于DDR内存,由于工作频率较高,采用六层板为佳。
不过为了控制成本,厂商通常有更加折中的办法 :采用四层板,然后使用单面;或者采用六层板,双面都使用。不过仍然有很多厂商采用六层板单面设计,这样就不惜工本。
工艺:拿起一根内存,看看PCB板的四边是否有毛边,是否摸起来光滑。如果是,那么这根内存的PCB板边还是处理的不错的。
其次,看看内存上颗粒、排阻、电容的焊接工艺,如果焊点圆滑饱满富有光泽,那么这根内存所使用的焊锡和焊接机是比较好的。
DDR(Double Data Rate)内存是双倍数据传输速率同步动态随机存储器的简称,DDR内存是SDRAM向前进化的产物,本质上和SDRAM完全相同。DDR内存可以在时钟周期的上升或下降阶段传输数据,所以理论上与同频运行的SDRAM内存相比,DDR内存具有双倍于SDRAM内存的带宽。
DDR内存也好像它们的前辈那样,经历过FPDRAM、EDORAM、SDRAM到今天的DDRRAM变迁之后,随着技术进步而被逐步淘汰。
DDR内存标准除了中国台湾的威盛VIA,矽统SIS,扬智ALI三大芯片厂商的支持以外,DDR AMI2 联盟内的 NEC,MICYON, 三星,现代,日立, 东芝,三菱,富士通(有些已转RDRAM阵营)等等无一不是世界上有影响力的业界大厂,在当时同时以AMD 760芯片组、VIA KT266芯片组、ALi的MAGIK1芯片组等DDR 主板的面市,DDR的声势日渐浩大,甚至英特尔也不得不接受DDR的各种优势,在845芯片组中使用DDR,其服务器芯片i870也支持DDR SDRAM内存。其它的电脑厂商如 IBM,NEC等更已经被DDR SDRAM深深吸引住。
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