迎接DDR2时代 全球DDR2内存条横向测试

　　如果你要购买一台电脑，你认为哪个部件最为重要？ CPU？主板？恩，这些都很重要，但是还有一个同样重要的部件，它虽然价格在整机里不是最高，但是它关系到整机的性能、稳定性等关键因素——内存。　　

　　● 关注内存性能真的很重要吗？　

　　我们知道CPU需要处理的数据都是存放在电脑的内存里，CPU能直接访问的。其他设备如外部存储器（ 硬盘、 光驱）或者输入输出设备的数据如果要被处理器访问也必须先传送到内存。这样一来，内存的性能对系统的影响自然也就不言而喻。

　　

　　目前 AMD也将会推出支持DDR2内存主板，届时市场上主流平台将全线支持DDR2内存，DDR2的普及已经是大势所趋。　

　　● 什么是DDR2呢？

　　DDR2是由电子元件工业联合会(Joint Electron Device Engineering Council),以下简称（JEDEC）生产厂商们制定的国际性协议，主要为计算机内存制定。工业标准的内存通常指的是符合JEDEC标准的一组内存。定义的全新的下一代DDR内存技术标准，已经在Intel BTX规格的代号Alderwood的i915P芯片组和代号Grantsdale的i925X芯片组及更新的945/955X芯片组中被完整支持。　

　　 　

　　 DDR2使用了240pin的封装，而DDR的封装则为184pin　

　　● DDR2内存有哪些优势： 　

　　★ 制作工艺更先进　

　　新一代的DDR 2均是采用90-130纳米技术生产FBGA封装的，相比采用130-180纳米生产TSOPII封装的DDR内存来说成本大幅减低，以正常DDR TSOPII内存颗粒需要占261立方毫米大小的面积，但DDR 2的FBGA封装的颗粒只需占126立方毫米的面积，故此在同一个大小的晶圆下可生产更多的内存颗粒，当良品率提高后，其最终生产成本会比DDR低。

　　 　

　　 ★ 功耗更低

　　此外，DDR 2的耗电低亦同样较低，DDR2采用全新的240pin接口标准工作电压为1.8V，而DDR其采用184pin接口的标准工作电压是2.5V，这就意味着DDR2要比DDR的功耗低很多。以DDR 400及DDR 2 400为例，DDR需要527mW(Max)，但DDR 2却只需247mW(Max)。长时间使用下去是一笔不小的节约。　

　　 ★ 起始频率更高

　　

　　上面介绍了DDR2采用了先进的制造工艺，生产成本及功耗降低的同时，它的起始频率会更高，更有利于提高系统整体性能。目前已经发布的DDR2内存标准频率有四种DDR2 400、533、667、800。仅以DDR2 400Mhz为例它与DDR400Mhz的所拥有的带宽是一样的3.2GB。而在双通道模式下DDR2 667可以提供10.6GB/S的惊人带宽！虽然JEDEC有DDR2 400内存规格标准，但是我们在市场中最常见到的DDR2内存基本上都已经是DDR2 533了。　

　　 ★ 容量更大

　　相对于起始容量仅为128MB的DDR来说DDR2内存起始容量就为256MB，往上可支持到512MB,1G。在桌面系统上提供了充足的容量保障。理论上DDR2内存颗粒所拥有的高密度特色，可以支持最高4G以上的容量，从而广泛应用于专业领域。随着电脑操作系统越来越庞大，对内存容量的需求更高，DDR2很快就有显身手的一天。

　　● DDR2-800才是真正 DDR2时代的开始　

　　等效频率的提升意味着传输率的提高，但并不代表延迟的缩短。在SDRAM时代我们还在争论究竟CL能降低到多少的时候，DDR 内存CL已经悄然提升到了2.5～3。现在DDR2来了，不幸的是DDR2的延迟将会更加高于DDR内存。我们在市场上买到的DDR2内存时序往往高达4-4-4-12。在面对常规应用的内存频繁小量读写时过高的延迟将会明显性能的拖后腿。

　　 　

　　为什么DDR2 533性能很多时候不及DDR400？延迟正是根本原因。而DDR2 800的出现正是弥补了延迟上的不足，频率的提升已经达到了一个新的高度。从以往的测试中我们得到一下排列关系：DDR2 800>DDR2 667>DDR500>DDR2 533>DDR 400>DDR2 400。我们说DDR2-800才是真正DDR2时代的开始。　

　　● 内存延迟　

　　 内存性能的因素影响到内存系统性能的原因多样，在外部主要是位于 主板芯片组内的或者位于CPU内部的内存控制器决定，内存本身的性能影响因素包括频率和延迟两个方面，其中延迟在应用中将以时序参数的设定来体现。 　

　 在这里以DDR SDRAM和DDR2 SDRAM的SPD内部规定的时序参数为例，类似“3-3-3-8”的标称中的4个数字的含义依次为：CAS Latency，内存CAS延迟时间。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。　　

　　● DDR2与DDR的区别　

　　 　

　　 DDR2使用了240pin的封装，而DDR的封装则为184pin　

　　与DDR相比，DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。与双倍速运行的数据缓冲相结合，DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据，比传统DDR内存可以处理的2bit数据高了一倍。DDR2内存另一个改进之处在于，它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。　

　　然而，尽管DDR2内存采用的DRAM核心速度和DDR的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存，因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容的。首先是接口不一样，DDR2的针脚数量为240针，而DDR内存为184针；其次，DDR2内存的VDIMM电压为1.8V，也和DDR内存的2.5V不同。

　　 　

　　 DDR2 SDRAM/DDR SDRAM/SDR SDRAM内存时钟频率和存储单元频率的比较

 

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