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Intel突破 65nm 70MbitSRAM制造成功

『Intel突破 65nm 70MbitSRAM制造成功』如果文章有大量图片,显示会较慢,请等待图片下载完成

点击数：更新时间：2004-8-30

　　日前，Intel宣布，他们采用最新的65纳米工艺制造SRAM（静态存储器）取得了突破，他们成功的用65nm的工艺制造出了70Mbit的大容量静态存储器。

　　静态存储器（SRAM）主要用作高速的存储设备，例如处理器内部的高速缓存等存储设备。

　　

　　去年11月，Intel首次宣布65nm制造工艺的时候就曾宣布成功制造了4Mbit的SRAM，现在能够生产出70Mbit的SRAM将有助于将来处理器的制造。

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